Выращивание углеродных нанотрубок для микроэлектроники

Выращивание углеродных нанотрубок для микроэлектроники, описание процесса и оборудование

Углеродные нанотрубки в сквозных отверстиях



Оборудование: Nanofab 1200

Технологические особенности:

  • реактор с двумя параллельными электродами;
  • газовый душ для равномерного осаждения;
  • температура процесса 600-1200оС;
  • рабочие газы: C2H2 , CH4, H2, Ar;
  • газ для чистки: О2;
  • Рабочее давление: до 5000 мТорр.

Результаты:

4d9c9e7e4739466816270c84c7355c1a.jpeg

Вертикально ориентированные CNT (выращенные в IMEC)

754ad2ac5ac462f85dff856d1aeee405.jpeg

При зародышевом слое Fe/Ti предварительная плазменная обработка и термический рост приводят к вертикальной ориентации структур CNT (Оптимальная схема техпроцесса зависит от выбора катализатора. Средняя фото с СЭМ Co/TiN в качестве зародышей)

Чисто термический рост нанотрубок приводит к их разнонаправленности.
Плазменный процесс роста ведет к утолщению углеродных структур.
Плазменная активация катализатора и термический рост ведут к плотному вертикально ориентированному углеродных нанотрубок.

d8a604c2822f22cc99ac41d1f35ba32c.jpeg

Термический рост CNT в отверстиях 350 нм диаметром. Хорошая направленность и густота при T>550 C.

Углеродные нанотрубки могут быть выращены как в присутствии так и в отсутствии плазменного ассистирования.

Плазма обычно используется для обработки зародышевого слоя и очистки камеры.

Вертикальная скорость осаждения : более 40 нм/мин
Скорость роста в любом направлении 300 нм/мин

Плотная структура многостенных CNT 1011 CNT/см2 может быть получена при Fe/Ti зародышевом слое и плазменной предобработке.

Такие свойства CNT как диаметр, плотность роста могут контролироваться выбором зародышевого слоя и параметрами технологического процесса. Скорость роста зависит от этих же параметров.