Реактивное ионное травление InP с применением ICP источника

Оборудование: PlasmaPro100

Особенности технологии:

Рабочие газы: CH₄/H₂/Cl₂ или CH₄/H₂

Результаты:

1. Процессы с применением хлорной химии:
   
   Процесс с рабочими газами CH₄/H₂/Cl₂
   • Скорость травления > 1 мкм/мин;
   • Cелективность к SiO₂ маске (10-25):1.
2. Процессы в безхлорной химии:
   • Cкорость травления ~ 200 нм/мин
   • Cелективность к фоторезисту > 10:1 (селективность InGaAs или InGaAsP к PR 1:1)

​	​	​
​газы - CH4/H2, маска - PR, глубина травления - 2 мкм	​маска - SiO2, глубина травления - 3 мкм	​​маска - Al2O3 (не удалена) глубина травления - 15 мкм	​​​маска - Al2O3 (не удалена) глубина травления - 8 мкм