Сквозное травление SiC

Оборудование: PlasmaPro100

Особенности технологии:

Реактивное анизотропное ионное травление SiC с применением источника индуктивно связанной плазмы (ICP), процесс основан на фторной химии.

Результаты:

1. Анизотропное травление SiC насквозь на глубину 70 мкм при скорости 650 нм/мин. Маска - фоторезист, гелиевый поддув под подложку.
   
2. Травление SiC на глубину 10 мкм при скорости >0.3 мкм/мин, угол наклона боковых стенок >83^o, селективность к фоторезисту (SU8) >0.5:1.
   
3. Изотропное травление SiC на глубину 3 мкм.