Сверхвысокоскоростное PECVD оксида кремния

Сверхвысокоскоростное PECVD оксида кремния, описание процесса и оборудование

Осаждение SiO2 толщиной ~700 нм с отличной конформность на Al.



Оборудование: PlasmaPro100

Технология:

pe_www.gif
Очистка камеры между процессами стандартной химией CF4/O2.
Высокоскоростная очистка камеры для повышения производительности.
Оптический эмиссионный спектрометр для определения конца очистки.
Предпочтительна конфигурация с кассетной камерой (очистка камеры в период загрузки новой пластины).

Результаты:

  • Скорость нанесения 1,2 мкм/мин;
  • Равномерность +/-3%;
  • Рабочий газ - SiH4 (возможно легирование B, P);
  • Отличная воспроизводимость скоростей нанесения;
  • Хорошей покрытие ступеней на структурах;
  • Высокое качество пленок.
p2_01.jpg p2%2012%20SiO.jpg
​Осаждение SiO2 толщиной ~700 нм
с отличной конформность на Al
​Осаждение SiO2 со скоростью 1200 нм/мин