Глубокое травление Si при комнатной температуре (Bosch-процесс)
Bosch-процесс травления кремния на глубину 100 мкм.
Оборудование:
PlasmaPro100
PlasmaProEstrelas
Особенности технологии:
- Реактивное ионное травление с применением источника индуктивно-связанной плазмы;
- Bosch процесс при комнатной температуре;
- Гелиевый поддув под подложку.
Результаты:
- скорость травления 10 мкм/мин;
- равномерность: < +/- 2% (по 100 мм пластине) и +/- 3% (по 150 мм пластине);
- аспектное соотношение 30:1;
- контролируемый угол наклона стенки;
- высокая селективность к фоторезисту (>75:1) и к SiO2 (>150:1).
Примеры Bosch-процессов глубокого травления Si, проведенных в лаборатории OIPT:
 |
 |
 |
|---|---|---|
| глубина травления 100 мкм | глубина травления 80 мкм | глубина травления 75 мкм |