/ Каталог / Микро- и нано-электроника / Плазмохимическое и физическое травление и осаждение / Технологические процессы / Процессы травления для нужд Si микроэлектроники / Процессы травления кремния (Si) / Классификация способов травления кремния

Классификация способов травления кремния

Классификация способов травления кремния, описание и особенности способов травления кремния

Описание классификаций способов травления кремния. Изотропное реактивное ионное травление, анизотропное реактивное ионное травление и с применением источника индуктивно связанной плазмы.

​Изотропное реактивное ионное травление (RIE) Анизотропное реактивное ионное травление (RIE) Реактивное ионное травление с применением источника индуктивно связанной плазмы (ICP - RIE)​
  • ​рабочие газы: на основе фтора (F);
  • скорости травления: 0.5-10 мкм/мин;
  • высокая селективность;
  • loading effect.
  • рабочий газ: на основе Cl/Br;
  • скорости травления: > 50-300 нм/мин;
  • анизотропный профиль;
  • хорошая селективность к SiO2.
  • ​рабочие газы: на основе фтора (F);
  • скорости травления: 1-20 мкм/мин;
  • крайне высокая селективность;
  • высокие аспектные соотношения.
​isotropic 70 µm deep etch in Si ​1 µm deep anisotropic RIE in polySi using HBr room temperature anisotropic etch for micromechanics
​Изотропное травление на глубину 70 мкм (маска не удалена) Анизотропное травление поликремния с помощью HBr для высокой селективности Бош-травление на глубину 50 мкм при комнатной температуре для МЭМС
​Si peaks for AFM ​ ​pc_1.jpg
Пики кремния (изображение с АСМ) ​ Травление Si насквозь до SiO2 для фотонных кристаллов (глубина 5 мкм)
​bi_02.jpg ​ ​ri_04.jpg
​Кремниевые наностолбики ​ Вытравливание линз в Si