Глубокое травление кварца с применением ICP источника

Оборудование:

PlasmaPro80
PlasmaPro100

Особенности технологии:

• реактивное ионное травление с применением источника индуктивно-связанной (ICP) плазмы;
• нижний электрод подключен к ВЧ генератору (13,56 МГц).
  

Результаты:

• анизотропный процесс с гладкими боковыми стенками;
• скорость травления: 150-350 нм/мин;
• селективность к металлической (Al,Cr,Ni) маске: (50-100):1;
• селективность к PR маске: 3:1;
• селективность к Si: 5:1;
• профиль 90^о - для случая металлических масок;
• равномерность +/-3%.

Лаборатория OIPT: глубина тренча 25 мкм.

​		​
​Глубина тренча - 110 мкм; скорость травления - 0,25 мкм/мин; селективность к Cr маске >70:1; площадь покрытая маской - 85%; вертикальный профиль, гладкое основание тренча	​Глубина тренча - 54 мкм; скорость травления - 0,22 мкм/мин; селективность к Ni маске - 55:1; вертикальный профиль, гладкое основание тренча ("борозды" - следствие переноса рисунка на пластину)	​Тренчи для оптических волокон; ​Глубина тренча - 35 мкм (SiO2 осажден PECVD методом); скорость травления - 0,3 мкм/мин; площадь покрытая Al маской - 96%