Атомно-слоевое осаждение оксида кремния (SiО2) с применением удаленного источника плазмы

Конформное осаждение SiO2 c применением удаленного источника плазмы, аспектное соотношение тренча 30:1


aloaldtc.gif

Атомно-эмиссионный анализ пленки SiO2, осажденной ALD методом
e5a9032ac0ff99fdc635dcf8041034f7.jpeg
Конформное осаждение SiO2 c применением удаленного источника плазмы, аспектное соотношение тренча 30:1
Технологические особенности осаждения:
  • прекурсор: BTBAS (либо 3DMAS и 2DEAS)
  • прекурсор в плазме: радикалы О и О2
  • барботирование при 35оС
  • доза прекурсора контролируется быстродействующей системой подачи газов
  • температура осаждения: 100 — 400° C
  • время цикла < 9c — для 200 мм подложки, для меньших подложек короче
  • 1.4 A/цикл (при 290°C и дозе насыщения) —> 9 A/мин —> более 56 нм/ч — для 200 мм подложки (быстрее для подложек меньших размеров)
  • равномерность: < ± (1-3) % (в зависимости от размеров подложки)
  • повторяемость < ± 1 %
  • содержание примесей: С<4% — при 400 оС
  • коэффициент преломления: ~1.42-1.44
  • соотношение Si:O равно 1:2
Оборудование: FlexAl & OpAl
ald.gif
sio2grc1.gif siogrc2.gif sioal_gr.gif
​Зависимости скорости осаждения пленок и коэффициента преломления от времени воздействия прекурсора (BTBAS). ​Зависимости скорости осаждения пленок и коэффициента преломления от времени воздействия плазмы. ​Зависимости скорости осаждения пленок и коэффициента преломления от температуры осаждения.