Глубокое травление SiO2 с применением ICP плазмы для волноводов
Лаборатория OIPT: анизотропное травление SiO2 глубиной 8 мкм.
Оборудование: PlasmaPro100
Особенности технологии:
- рабочий газ - HF;
- реактивное ионное травление с применением источника индуктивно связанной плазмы (ICP);
- частота ВЧ источника плазмы - 13 МГц
Результаты:
- скорость травления: 200-300 нм/мин;
- равномерность: < +/-5% (по 6" пластине);
- анизотропное травление с гладкими стенками;
- селективность: 50:1 к Cr или Al;
- профиль стенок: 89-90°;
- отсутствие плазменной очистки во время техпроцесса.
Лаборатория OIPT: точный контроль ширины элемента.
Скорость травления, глубина травления в зависимости от времени процесса.