Skip

Реактивное ионное травление полосок поликремния шириной ~25 нм






Оборудование:

Травление поликремния в HBr:
Реактивное ионное травление;
анизотропный профиль;
рабочая среда - HBr.
скорость травления 100 нм/мин
равномерность <5% по пластине 150 мм
селективность к SiO2 > 50:1
rie_www.gif
d90f40f5664217cf52ca31abd8f1420a.jpeg

28eb02d45ff5490bf296d529d257d3a9.jpeg

Лаборатория OIPT
Травление поликремния в Cl2:
Реактивное ионное травление;
анизотропный профиль;
рабочая среда - Cl2;
скорость травления 50 нм/мин
равномерность <4% по пластине 100 мм
селективность к маске Si3N4 > 30:1
селективность к подслою SiO2 > 30:1
217780de968378360d13acc1a21bd0a3.jpeg679cdb46019b60c062eb67b044121135.jpeg
​Лаборатория Дортмундского университета электроники:
1) толщина полосы 60нм

2)​толщина полосы 25нм