Химическое осаждение (PECVD) графена

Фотографии 200 мм пластины с выращенным на ней вертикально ориентированным графеном


Оборудование:

Технологические особенности:
реактор с двумя параллельными электродами либо реактор с источником индуктивно связанной плазмы
температура процесса 1200 оС
подложка — диэлектрическая или проводящая (Ni или Cu фольга) без или с катализатором
прекурсор CH4+H2 или C2H2
74b80bcec6b41ba226c8eb439f069a4d.jpeg 929c2290831de896e126bc30eb98d31a.gif 04dc68e8d092672c39fa831d166e67f8.jpeg 6acbd6937bde4ae84353a6b4e9fbad4c.gif
Фотография выращенного CVD методом графена с СЭМ (оранжевые стрелки указывают на неровности) Спектры Рамана выращенного CVD методом графена Фотография выращенного CVD методом нанокристаллического графена с СЭМ.
Подложка — SiO2 (без катализатора)
Процесс с плазмой
Температура: 650° C или выше
Рабочий газ: CH4+H2

Спектры Рамана нанокристаллического графена, термически выращенного на SiO2, сапфире и кварце
ea469652c9fcdc7c4d5c34a8d3e07221.jpeg
Вертикально ориентированный графен, выращенный с использованием плазменного разряда.
Рабочее давление: < 200 мТорр
Катализатор/подложка: Si, TiN/SiO2/Si

fdc153636873aaaeda75cf27d7058e38.jpeg

Фото вертикально ориентированного графена с просвечивающего эл. микроскопа (видны 4 слоя графена)