Химическое осаждение (PECVD) оксида алюминия (Al2O3)
Оборудование:
Технологические особенности:
реактор с двумя параллельными электродами
газовый душ для равномерного осаждения
прекурсор — TMA
реактор с двумя параллельными электродами
газовый душ для равномерного осаждения
прекурсор — TMA
Результаты:
Скорость осаждения : > 20 нм/мин
Равномерность: +/- 5 % по 200 мм пластине
Воспроизводимость: +/- 2 %
Равномерность: +/- 5 % по 200 мм пластине
Воспроизводимость: +/- 2 %
Коэффициент преломления 1,64

Зависимость скорости осаждения и коэффициента преломления от температуры осаждения

РФС анализ пленки Al2O3, осажденный при температуре 400 оС и n=1.65. Содержание Al-45%, O2-55%, N и C < 0.5%