Химическое осаждение (PECVD) оксида алюминия (Al2O3)

Химическое осаждение (PECVD) оксида алюминия (Al2O3), описание процесса и оборудование
Производитель: Oxford Instruments Plasma Technology


Оборудование: PlasmaProSystem 100/133

Технологические особенности:

  • Реактор с двумя параллельными электродами;
  • Газовый душ для равномерного осаждения;
  • Прекурсор - TMA.

Результаты:

  • Скорость осаждения: > 20 нм/мин;
  • Равномерность: +/-5% по 200 мм пластине;
  • Воспроизводимость: +/-2%;
  • Коэффициент преломления 1,64.

a7al203a.gif
Зависимость скорости осаждения и коэффициента преломления от температуры осаждения.

a7al203b.gif
РФС анализ пленки Al2O3, осажденный при температуре 400°С и n=1.65. Содержание Al - 45%, O2 - 55%, N и C < 0.5%.