Химическое осаждение (PECVD & CVD) германида кремния (SiGe)

Химическое осаждение (PECVD & CVD) германида кремния (SiGe) описание и оборудование

Пленка германида кремния (SiGe) толщиной 10 мкм.

Производитель: Oxford Instruments Plasma Technology


Оборудование: PlasmaProSystem 100/133

Технологические особенности:

  • Реактор с двумя параллельными электродами;
  • Реактивные газы - GeH4, SiH4;
  • Скорость осаждения при PECVD процессе выше чем при CVD;
  • Преимущество polySiGe над polySi в более низкой температуре перехода: 450°С по сравнению 580°С;
  • Скорость осаждения: 50-200 нм/мин.

017b319eb4d0f03b8b93fc7b2ba7a3ef.jpeg
Слои SiGe, выращенные на SiO2, при разных условиях.
На рисунке показан поликристаллический мультислой SiGe, выращенный при 450°С, который состоит из нескольких подслоев:

  • 1 подслой - аморфный зародышевый SiGe толщиной 100 нм, осажденный PECVD способом, нужен чтобы избежать инкубационный период при осаждении на SiO2;
  • 2 подслой - кристаллический зародышевый SiGe, осажденный CVD способом, нужен для последующего низкотемпературного PECVD процесса роста;
  • 3 подслой - поликристаллический SiGe.

Результаты:

  • Сопротивление пленки 1 мОм*см;
  • Контактное сопротивление SiGe/Al - 6x10-6-10-5 Ом*см2;
  • Внутреннее напряжение - 5 МПа.

resistivity vs anneal temperature
Зависимость сопротивления пленки от температуры отжига.