Химическое осаждение (PECVD & CVD) германида кремния (SiGe)

Пленка германида кремния (SiGe) толщиной 10 мкм


Оборудование:

Технологические особенности:
— реактор с двумя параллельными электродами
— реактивные газы — GeH4, SiH4
— скорость осаждения при PECVD процессе выше чем при CVD
— преимущество polySiGe над polySi в более низкой температуре перехода: 450 оС по сравнению 580 оС
— скорость осаждения : 50-200 нм/мин
017b319eb4d0f03b8b93fc7b2ba7a3ef.jpeg
слои SiGe, выращенные на SiO2, при разных условиях
На рисунке показан поликристаллический мультислой SiGe, выращенный при 450 оС, который состоит из нескольких подслоев:
1 подслой — аморфный зародышевый SiGe толщиной 100нм, осажденный PECVD способом, нужен чтобы избежать инкубационный период при осаждении на SiO2, 2 подслой — кристаллический зародышевый SiGe, осажденный CVD способом, нужен для последующего низкотемпературного PECVD процесса роста поликристаллического SiGe (3 подслой).
Результаты:
сопротивление пленки 1 мОм*см
контактное сопротивление SiGe/Al — 6×10-6-10-5 Ом*см2
внутреннее напряжение — 5 МПа

resistivity vs anneal temperature
Зависимость сопротивления пленки от температуры отжига.