Химическое осаждение поликристаллического кремния (poly-Si) при низком давлении (LPCVD)

Оборудование: PlasmaProSystem 100/133

Технологические особенности:

• реактор с двумя параллельными электродами;
• газовый душ для равномерного осаждения;
• основной реактивный газ - SiH₄.

Результаты:

• Температура процесса LPCVD 650^оС;
• Скорость осаждения : 2 нм/мин (20 нм/мин для PECVD);
• Равномерность: +/- 5% для 100 мм подложки.

Рентгеновский анализ и спектры Рамана демонстрируют кристаллическую структуру осажденных Si пленок: размер зерна > 100нм, степень кристалличности >80%.

Пленки поликремния растут преимущественно вдоль ориентации <1 1 0>, ориентация и кристаллизация пленок происходит вдоль ориентации <1 1 1>.

Зависимость скорости осаждения Si при LPCVD от температуры (580-620^оС - переходная зона).