/ Каталог / Микро- и нано-электроника / Плазмохимическое и физическое травление и осаждение / Технологические процессы / Процессы химического осаждения покрытий из газовой фазы / Процессы плазмохимического осаждения кремния (Si) / Химическое осаждение (PECVD) микрокристаллического кремния (µc-Si)

Химическое осаждение (PECVD) микрокристаллического кремния (µc-Si)

Оборудование:

PlasmaPro 80/800
PlasmaProSystem 100/133

Технологические особенности:

  • реактор с двумя параллельными электродами (13 & 81 МГц);
  • газовый душ для равномерного осаждения;
  • основной реактивный газ - SiH4 (PH3, B2H6 для легирования).

Результаты:

    1. Микрокристаллическое покрытие кремния µc-Si:H, легированное фосфором:
      • Скорость осаждения: >4 нм/мин
      • Равномерность по толщине: +/- 3-4%
      • Равномерность по фотопроводимости: <+/- 10%
      • Темновая проводимость: > 2 См/см
    2. Микрокристаллическое покрытие кремния µc-Si:H, легированное бором:
      • Скорость осаждения : >4 нм/мин
      • Равномерность по фотопроводимости: <+/- 10%
      • Темновая проводимость: > 0,1 См/см