Химическое осаждение (PECVD) аморфного кремния (a-Si)

Оборудование:

PlasmaPro 80/800
PlasmaProSystem 100/133

Технологические особенности:

• реактор с двумя параллельными электродами;
• газовый душ для равномерного осаждения;
• основной реактивный газ - SiH₄ (PH₃, B₂H₆ для легирования).

Результаты:

• Скорость осаждения: 5-25 нм/мин;
• Равномерность: +/- 3-4%;
• Воспроизводимость: +/- 2.5%.

​	​Зависимость проводимости аморфного кремния от потока реактивного газа	​​Зависимость проводимости аморфного кремния от температуры осаждения
Легирование бором (B)​ с помощью B2F6	​	​
​Легирование фосфором (P) с помощью PH3	​	​