Атомно-слоевое осаждение палладия (Pd) с применением удаленного источника плазмы

Атомно-слоевое осаждение палладия (Pd) с применением удаленного источника плазмы, описание процесса и оборудование

Шаг №3 при атомно-слоевом осаждении Pd: радикалы кислорода участвуют в удалении углерода из пленки.

Производитель: Oxford Instruments Plasma Technology


b3c21846dddbbc592f23ae979952d42f.jpeg
Фотографии роста Pd пленки со сканирующего электронного микроскопа:

  • а) с применением только газа - H2 (верх);
  • b) с применением газов O2 и Н2 (низ).

Применение кислорода позволяет получать сплошную пленку при меньшем количестве циклов. Выращивание наночастиц Pd также нашло свое применение (пленка выращивалась на покрытии Al2O3).

J9%20Pd%20ALD.gif
Применение кислорода позволяет получать пленки с гораздо меньшим содержанием углерода (нижний график). Процесс ALD состоящий только из двух шагов (шаг с напуском прекурсора + шаг с водородной плазмой) приводит к увеличению содержания углерода в пленке более чем на 10% (пленка выращивалась на покрытии Al2O3).

J5%20Pd%20ALD%20comparison.gif
Содержание углерода и сопротивление пленки Pd при атомно-слоевом осаждении с использованием кислородной плазмы (красный) и без нее (синий).

Технологические особенности:

  • Прекурсор: Pd(C5HF6O2).
  • Pf%20ALD%20pc%20molecule.gif
  • Температура при 3х шаговом процессе - 100°C

Результаты:

  • О2 содержащая плазма значительно снижает время образования зародышевого слоя;
  • Скорость осаждения 0,3 А/мин --> 1,8 нм/час;
  • Сопротивление ~ 24 мкОм см (равномерность +/-2%);
  • Содержание углерода < 2% (XPS);
  • Шероховатость для 30 нм пленки < 1.4 нм (RMS).

В системах OIPT процесс ALD может быть выполнен с использованием:

  • только термического механизма;
  • ассистирования озоном;
  • ассистирования удаленной плазмой без изменения конфигурации оборудования.

Многошаговый процесс с использованием всех этих технологий может быть применен в случае необходимости.