Травление ниобия (Nb)

Лаборатория OIPT: травление Nb на 0.3 мкм (фоторезист не удален)


bn_01.jpg bn_02.jpg
​Лаборатория OIPT: травление Nb на 0.5 мкм с применением индуктивно-связанной плазмы (ICP). Фоторезист не удален ​Лаборатория OIPT: реактивное ионное травление Nb на 0.3 мкм (RIE). Фоторезист не удален
Технологические особенности:
  • реактивное ионное травление с применением индуктивно-связанной плазмы с помощью ВЧ генератора с параллельными электродами и частотой возбуждения плазмы — 13.56 МГц

Результаты (ICP):

  • скорость: 150 нм/мин
  • равномерность 3% по 100 мм подложке
  • селективность к лежащему в основе слою SiO2 >10 : 1
  • профиль: анизотропный
Результаты (RIE):

  • скорость: 70 нм/мин
  • гелиевый поддув под подложку для обеспечения теплового контакта
  • селективность к фоторезисту 1,1 : 1
  • селективность к лежащему в основе слою SiO2 — 2,2 : 1
  • равномерность 3,5% по 100 мм подложке