Анизотропное травление нитрида титана (TiN)

Лаборатория компании АМО г. Аахен, Германия: травление TiN — полосы шириной 90 нм


3ef73a1b4dbf6d5cb1643fdd6230fb9a.jpeg b7c6463a865f33dc5b449d1b4bf55085.jpeg b45ec488b0f04c9251352483bea7a095.jpeg 7679c2a68e5bf1dee6bb58303abca9f9.jpeg
ширина линий TiN 90 нм
скорость травления > 100 нм/мин (с ICP)
селективность TiN : HSQ примерно 3 : 1
перетравливание происходит с высокой селективностью к подзатворному диэлектрику (до 80 : 1)
равномерность по 150 мм пластине < ± 3 %
травление в атмосфере Cl/Br
травление структуры TiN(1мкм)/Si(0.5мкм) — маска не удалена травление структуры TiN(0,25мкм)/Si(0.3мкм) — маска не удалена ​травление структуры TiN(0,25мкм)/Si(0.3мкм) — маска удалена

Технологические особенности:

  • реактивное ионное травление с помощью ВЧ генератора с параллельными электродами и частотой возбуждения плазмы — 13.56 МГц
  • подача газа через «газовый душ»
  • низкое рабочее давление

Результаты:

  • скорость: 25 нм/мин
  • маска: трехслойный резист
  • анизотропный профиля