Анизотропное травление нитрида титана (TiN)

Лаборатория компании АМО г. Аахен, Германия: травление TiN — полосы шириной 90 нм

ширина линий TiN 90 нм скорость травления > 100 нм/мин (с ICP) селективность TiN : HSQ примерно 3 : 1 перетравливание происходит с высокой селективностью к подзатворному диэлектрику (до 80 : 1) равномерность по 150 мм пластине < ± 3 % травление в атмосфере Cl/Br	травление структуры TiN(1мкм)/Si(0.5мкм) — маска не удалена	травление структуры TiN(0,25мкм)/Si(0.3мкм) — маска не удалена	​травление структуры TiN(0,25мкм)/Si(0.3мкм) — маска удалена

Технологические особенности:

• реактивное ионное травление с помощью ВЧ генератора с параллельными электродами и частотой возбуждения плазмы — 13.56 МГц
• подача газа через «газовый душ»
• низкое рабочее давление