Травление вольфрама (W)
Сечение в вольфрамовой пластине, выполненное с помощью сфокусированного ионного пучка. Полушаг 35 нм, глубина 300 нм.
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|
Лаборатория OIPT: Анизотропное реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE) при -40оС.
|
Лаборатория OIPT: Реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE) при комнатной температуре.
|
Лаборатория OIPT: Реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE) при комнатной температуре.
|
Лаборатория OIPT: Анизотропное реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE)
|
Технологические особенности:
- реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE)
- гелиевый поддув под подложку, обеспечивающий тепловой контакт
- процесс проходит с фторсодержащей химией без осаждения полимеров на стенки камеры
Результаты:
- скорость: 50 (RIE)- 200 нм/мин (ICP — RIE)
- равномерность: 3%
- контролируемый профиль стенки (путем регулировки концентрации кислорода и температуры процесса)
- селективность к Cr маске > 20 : 1
- селективность к фоторезисту 5 : 1
- селективность к SiO2 маске 10 : 1