/ Каталог / Микро- и нано-электроника / CVD и PVD технологии / Технологические процессы / Остальные процессы травления / Травление вольфрама (W)

Травление вольфрама (W)

Сечение в вольфрамовой пластине, выполненное с помощью сфокусированного ионного пучка. Полушаг 35 нм, глубина 300 нм.

wa_01.jpg wa_04.jpg wa_05.jpg​ wa_02.jpg​
Лаборатория OIPT: Анизотропное реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE) при -40оС.

  • аспектное соотношение 3:1
  • толщина канавок 30 нм
  • скорость травление 60 нм/мин
  • маска из Cr
 Лаборатория OIPT: Реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE) при комнатной температуре.

  • угол наклона стенок 88о
  • скорость травление 150 нм/мин
  • маска из фоторезиста (удален)
 ​Лаборатория OIPT: Реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE) при комнатной температуре.

  • угол наклона стенок 88о
  • скорость травление 150 нм/мин
  • маска из фоторезиста (удален)

 ​Лаборатория OIPT: Анизотропное реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE)

  • толщина канавок 30 нм
  • скорость травление 60 нм/мин
  • маска из Cr
Технологические особенности:
  • реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE)
  • гелиевый поддув под подложку, обеспечивающий тепловой контакт
  • процесс проходит с фторсодержащей химией без осаждения полимеров на стенки камеры

Результаты:

  • скорость: 50 (RIE)- 200 нм/мин (ICP — RIE)
  • равномерность: 3%
  • контролируемый профиль стенки (путем регулировки концентрации кислорода и температуры процесса)
  • селективность к Cr маске > 20 : 1
  • селективность к фоторезисту 5 : 1
  • селективность к SiO2 маске 10 : 1