Травление вольфрама (W)

Травление вольфрама описание и оборудование

Сечение в вольфрамовой пластине, выполненное с помощью сфокусированного ионного пучка. Полушаг 35 нм, глубина 300 нм.

Производитель: Oxford Instruments Plasma Technology


wa_01.jpg wa_04.jpg
Лаборатория OIPT: Анизотропное реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE) при -40°С.
  • Аспектное соотношение 3:1;
  • Толщина канавок 30 нм;
  • Скорость травление 60 нм/мин;
  • Маска из Cr.
Лаборатория OIPT: Реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE) при комнатной температуре.
  • Угол наклона стенок 88°;
  • Скорость травление 150 нм/мин;
  • Маска из фоторезиста (удален).
wa_05.jpg wa_02.jpg
​Лаборатория OIPT: Реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE) при комнатной температуре.
  • Угол наклона стенок 88°;
  • Скорость травление 150 нм/мин;
  • Маска из фоторезиста (удален).
​Лаборатория OIPT: Анизотропное реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE)
  • Толщина канавок 30 нм;
  • Скорость травление 60 нм/мин;
  • Маска из Cr.

Технологические особенности:

  • Реактивное ионное травление W с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP RIE);
  • Гелиевый поддув под подложку, обеспечивающий тепловой контакт;
  • Процесс проходит с фторсодержащей химией без осаждения полимеров на стенки камеры.

Результаты:

  • Скорость: 50 (RIE) - 200 нм/мин (ICP - RIE);
  • Равномерность: 3%;
  • Контролируемый профиль стенки (путем регулировки концентрации кислорода и температуры процесса);
  • Селективность к Cr маске > 20:1;
  • Селективность к фоторезисту 5:1;
  • Селективность к SiO2 маске 10:1.