Травление хрома (Cr)

Лаборатория Института микроструктур Макса Планка в г. Галле (Германия): анизотропное травление хрома на 0,5 мкм со скоростью 12 нм/мин с селективностью к маске AR-P 351 1:1,2 (маска не удалена)


cr11.jpg SEM
Травление хрома на толщину 110 нм со скоростью 20 нм/мин
селективность к маске Shipley S1800 > 1.5 : 1
(Courtesy of University of Joensuu Department of Physics and Mathematics)
Анизотропное травление отверстий диаметром 500 нм в пленке хрома на глубину 100 нм.
Ширина оставшихся стенок 150 нм. Резист марки ZEP не удален.
Скорость травления 7 нм/мин, селективность к указанному резисту 0,5:1
(Courtesy of MPI Halle Dr Milenin, Dr Jamios)
  • Частота ВЧ генератора для возбуждения плазмы — 13.56 МГц
  • Процесс травления проходит в хлорной среде
  • Подача газа через «газовый душ»
  • Скорость травления: 2 — 30 нм/мин
  • селективность к фоторезисту: (0.5 — 1.5) : 1
  • регулируемый профиль стенки
  • определение наклона стенки по эрозии фоторезиста