Вытравливание наностержней из GaN с применением ICP источника
Лаборатория University of Bath: высота наностержней из GaN 6 мкм при 60 С и при 150 С.
Наностержни из GaN c аспектным соотношением 20:1
Технология:
- Реактивное ионное травление с использованием источника индуктивно связанной плазмы (13.56 МГц);
- Индуктивно связанная плазма;
- Поджиг плазмы при 13.56 МГц;
- Рабочий газ: на основе Cl;
- ВЧ управляемый нижний электрод.
Результаты:
- скорость травления:0.5 мкм/мин;
- селективность к Ni маске более 50:1;
- анизотропный профиль.
Ni маска была нанесена с помощью наноимпринт литографии, а удалена lift off технологией.
Схема реактора с ICP источником плазмы: