Травление InGaN/GaN с применением ICP источника

Травление InGaN/GaN с применением ICP источника, описание процесса и оборудование

Лаборатория OIPT: анизотропное травление InGaN/ GaN.



Технология:

  • Реактивное ионное травление с использованием источника индуктивно связанной плазмы (13.56 МГц);
  • Индуктивно связанная плазма;
  • Поджиг плазмы при 13.56 МГц;
  • Рабочий газ: на основе Cl;
  • ВЧ управляемый нижний электрод.
    icp_r_ww.gif

Результаты:

  • Скорость травления:0.1-1 мкм/мин;
  • Селективность к SiO2 маске более 5:1;
  • Селективность к Ni маске более 20:1;
  • Гладкие боковые стенки;
  • Анизотропный профиль.

Анизотропное травление InGaN/GaN
SEM