Реактивное ионное травление GaP с применением источника ИСП

лаборатория OIPT, Яттон: глубина травления 80 мкм

Технология:

Реактивное ионное травление с использованием источника индуктивно связанной плазмы (ICP — RIE)
Частота возбуждения плазмы 2 или 13 МГц
ВЧ управляемый нижний электрод
Результаты:
скорость травления: 2,6 мкм/мин
хорошая равномерность
селективность к фоторезисту: >12:1
селективность к SiO2: 120:1

с благодарностью к

National Research Council, Ottawa
Institute for Microstructural Sciences
Dr Boris Lamontagne