Реактивное ионное травление InP/InGaAsP (с ICP) для волноводов

​	​	​	​
​лаборатория OIPT: глубина травления структуры InP/ InGaAsP 10 мкм рабочие газы: Cl2, CH4, H2, Ar скорость травления> 1.5 мкм/мин селективность > 15:1 к маскам SiO2 или SiNx равномерность < +/- 4 % (для подложки диаметром 50 мм) отличный контроль профиля	​лаборатория OIPT: глубина травления структуры InP/ InGaAsP 5 мкм рабочие газы: Cl2, CH4, H2, Ar Технология: Реактивное ионное травление (RIE) c применением ICP источника (13 МГц) Индуктивно связанная плазма управляемый ВЧ нижний электрод	лаборатория OIPT: глубина травления структуры InP/ InGaAsP 5 мкм рабочие газы: Cl2, N2 скорость травления > 1 мкм/мин селективность > 10:1 к маскам SiO2 или SiNx равномерность < +/- 4 % (для подложки диаметром 50 мм) отличный контроль профиля	​​лаборатория OIPT: глубина травления структуры InP/ InGaAsP 6 мкм рабочий газ: HBr скорость травления > 0,8 мкм/мин селективность > 10:1 к маскам SiO2 (возможна фоторезистивная маска) равномерность < +/- 4 % (для подложки диаметром 50 мм) хороший контроль профиля

Сравнение:

Процесс с CH₄/H₂/Cl₂ химией не нуждается в прижимной пластине или нагреваемом электроде, что упрощает оборудование, и позволяет обрабатывать куски пластин или несколько пластин разом.

Процесс с Cl₂/N₂ химией предлагает более "чистую" альтернативу, но требует подогреваемый электрод и прижимную пластину, и реализуем только на целых пластинах (или на кусках, приклеенных к держателю пластин). Процесс с химией HBr позволяет использовать фоторезист в качестве маски.