Полировка/модификация поверхности GaAs
Технология:
- Remote Downstream Plasma*;
- Source Power => Plasma Density;
- RF Power => Ion Energy.
Результаты:
- Скорость обработки: 0.2-5 мкм/мин;
- Кристаллографическое травление без ионной бомбардировки;
- Увеличенная шероховатость при увеличении ионного воздействия.
Процесс с контролируемой ионной бомбардировкой.
Процесс без ионной бомбардировки.