Атомно-слоевое осаждение нитрида галия (GaN) с применением удаленного источника плазмы

Атомно-эмиссионная спектроскопия пленки GaN толщиной 65 нм.

Технологические особенности:

• Металлический прекурсор: триэтил галия (TEGa);
• Неметаллический прекурсор: удаленная плазма газов N₂/H₂;
• Temperature controlled vapour draw;
• Доза прекурсора контролируется быстродействующей системой подачи газов;
• Температура осаждения: 150-350°C.

Длительное воздействие плазмы необходимо для уменьшения содержания кислорода в пленке, и, ввиду этого, увеличения коэффициента преломления. И хотя полупериод процесса равен 5с, более длительное время необходимо для достижения значений содержания примесей, указанных ниже.

Результаты:

• Равномерность: < ± 0.5 - 2 % (в зависимости от размера подложки);
• Содержание примесей: C < 3% , O < 3%;
• Коэффициент преломления: 2.27;
• Скорость осаждения: более 1.75 A/мин (более 10 нм/час) для 100 мм подложки (скорость больше для малых подложек).

Дифракционный рентгеновский анализ (XRD) показывает небольшой пик присущий GaN [0002].